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      漏源电压BV DSS (V)(Min.):

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.):

      120

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.):

      150

      最大(dà)漏极(jí)电流Id(on)(A):

      24

      驱动电压(yā)(V):

      10

      通道极性:

      N沟(gōu)道

      封装/温度(℃):

      TO-220F-3/-55~125

      描述:

      600V,150mΩ,24A,N沟(gōu)道基于超级(jí)结技术的(de)功(gōng)率MOSFET



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